三星研发出16层堆叠HBM3芯片样品，采用混合键合技术

集微网消息，三星电子表示，已经研发制造出16层堆叠的高带宽存储（HBM）的样品。

三星副总裁Kim Dae-woo表示，三星采用混合键合技术制造了该芯片。他表示，虽然16层堆栈HBM距离投入量产还需要一段时间，但证实其运行正常。

Kim Dae-woo还补充说，该芯片是作为HBM3制造的，但三星计划在HBM4中使用来提高生产率。

消息人士称，由于对准问题，三星预计只会对一两个芯片堆叠组使用混合键合，但后来将该技术应用于所有堆叠。该样品是使用三星晶圆厂设备子公司Semes的设备制造的。

Kim Dae-woo还表示，三星正在考虑在HBM4中使用混合键合或热压非导电薄膜（TC-NCF），并将于2025年推出样品，2026年开始量产。新推出的HBM3E使用TC-NCF技术。

混合键合更具优势，因为它们可以紧凑地添加更多堆叠，而无需使用填充凸块进行连接的硅通孔（TSV）。HBM上的核心芯片DRAM也可以通过相同的技术变得更厚。

国际半导体标准组织（JEDEC）同意将HBM4的封装厚度定为775微米（比上一代厚55微米），因此HBM4外形尺寸可能还不需要混合键合，仍可使用现有的键合技术实现16层DRAM堆叠HBM4。

Kim Dae-woo还表示，在最多8层堆叠的情况下，大规模回流模制底部填充（MR-MUF）的生产效率比TC-NCF更高，但一旦堆叠达到12层或以上，后者将具有更多优势。

Kim Dae-woo还指出，当HBM4推出时，定制需求预计会增加。他补充说，缓存芯片将变更为逻辑芯片，因此芯片可以来自三星电子或台积电。