三星3D存储架构愿景：zHBM 与 zNAND‑O 概念模型

在2026年国际存储器研讨会上， 三星展示了业内首款zHBM和zNAND-O概念模型，展现了其对下一代3D存储架构的愿景。

专为高级 人工智能计算设计，zHBM 推出了一种全新的内存架构，将高带宽内存（HBM）垂直堆叠在人工智能加速器上方，突破了高带宽内存与 处理器并排布置的传统设计。

通过将数据在 AI处理器与内存之间的传输距离降至最低，zHBM旨在提供更高的带宽和更优的能效，从而实现大规模AI训练和推理所需的超高速数据处理。

集成zHBM的下一代 接口系统预计将提供约八倍于HBM5的性能。凭借下一代晶圆键合技术，zHBM可实现超过十倍于HBM5的存储密度，同时将能效提升三倍、热阻降低一半以上，从而最大化高容量、高带宽系统的稳定性和能效。

zHBM 还支持客户定制化设计，可将定制化 IP 集成到存储器与人工智能加速器之间的中间层，以扩展存储容量并提升加速器性能。

基于与客户的紧密合作，三星计划通过zHBM进一步优化AI处理器与内存的集成，以最大化AI系统的性能。

该公司还推出了zNAND-O，这是一种基于其V-NAND技术打造的下一代高性能NAND架构，提供四层和八层版本。凭借高空间利用率、改进的I/O性能和低延迟的特性，zNAND-O针对边缘人工智能环境进行了优化，可支持实时、数据密集型的人工智能应用。

行业首款 V10 BV-NAND

三星推出了 V10 位垂直NAND闪存，搭载其全新的键合垂直NAND架构。这一消息距三星在2013年闪存峰会上推出行业首款垂直NAND技术已过去13年，这也是该公司在NAND闪存创新领域的又一里程碑。

拥有超过400层的V10 BV-NAND不仅能提供更高的性能和能效，还显著提升了存储密度。三星通过应用晶圆键合技术堆叠存储单元，使该产品的存储密度较上一代（V9）提升了约58%。

除了增加层数外，V10 BV-NAND 相比上一代还提升了读取、写入和 I/O 性能，为未来的人工智能系统和应用提供了高性能、大容量的 NAND 支持。

从HBM到 PIM及企业级存储的AI存储路线图

三星还展示了其最新的AI内存与存储产品组合，包括HBM4E、HBM5、LP DDR5X-PIM以及PM1763，凸显了其面向下一代人工智能计算和数据 中心基础设施的发展路线图。

继凭借1c DRAM和4纳米（nm）基础 芯片技术实现行业首款HBM4量产之后，三星于2月率先推出HBM4，并在5月成为首家向全球客户交付HBM4E样品的企业，进一步巩固了其在下一代HBM领域的领先地位。

该公司携其 HBM4E 样品及 HBM5 模型，展示了业界首款搭载存内计算技术的 LPDDR5X-PIM 低功耗双倍数据率第五代 X 扩展内存。这一全新解决方案可在内存内部完成数据处理，从而提升数据传输与功耗方面的效率。

本次展会还展示了三星最新的企业级存储解决方案——包括PM1763和BM1773——这些方案旨在满足人工智能数据中心不断增长的存储需求。